Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл-диэлектрик-кремний при резонансном туннелировании электронов, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Векслер М.И.1
  • Илларионов Ю.Ю.2
  • Грехов И.В.3
стр. 467-471
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук; Technische Universit?t Wien, Institut f?r Mikroelektronik, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН Россия, 194021, С.-Петербург, Политехническая ул., 26
Аннотация:
Теоретически рассмотрены условия накопления электронов в квантовой яме резонансно-туннельной структуры металл-окисел-р+-кремний и масштаб влияния накопленного заряда на распределение напряжения. Исследованы системы с SiO, HfO и TiO в качестве диэлектрика. Показано, что появления заряда в яме при резонансном транспорте можно ожидать для структур на подложках с концентрацией акцепторов от (5-6) • 10 до (2-3) • 10см в диапазоне толщин окисла, зависящем от этой концентрации. Так, для структур с SiO/р+-Si(10 см) толщина окисла должна превышать ~ 3нм. Плотность электронов в яме может достигать величин ~ 10 см и более. Однако влияние этого заряда на электростатику структуры становится заметным только в режимах сравнительно высоких напряжений, далеких от момента активации резонансного переноса через первую подзону.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.