Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Гетероэпитаксиальные структуры InAs_ Sb на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Гусейнов Р.Р.1
  • Танрывердиев В.А.2
  • Kipshidze G.3
  • Алиева Е.К.4
  • Алигулиева Х.В.5
  • Абдуллаев Н.А.6
  • Мамедов Н.Т.7
стр. 551-557
Платно
1 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, 2 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, 3 Stony Brook University, Stony Brook, 4 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, 5 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, 6 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, 7 Институт физики Национальной академии наук Азербайджана
Аннотация:
Получены нерелаксированные слои твердого раствора InAs_Sb (x = 0.43 и 0.38) методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием градиентных буферных слоев GaInSb и AlGaInSb. Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается результатами исследований высокоразрешающей рентгеновской дифракции и микро-рамановского рассеяния. Выявлен двухмодовый тип перестройки фононных спектров твердых растворов InAs _ Sb.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.