Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Закгейм А.Л.1
  • Ильинская Н.Д.2
  • Карандашев С.А.3
  • Лавров А.А.4
  • Матвеев Б.А.5
  • Ременный М.А.6
  • Стусь Н.М.7
  • Усикова А. А.8
  • Черняков А.Е.9
стр. 269-275
Платно
1 НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 ООО ”ИоффеЛЕД“, 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 7 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 8 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 9 НТЦ микроэлектроники Российской академии наук
Аннотация:
Проведены измерения и анализ пространственного распределения равновесного и неравновесного (в том числе люминесцентного) излучения в средневолновых ИК флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs (?max = 3.4 мкм) с учетом конструктивных особенностей фотодиодов, включая отражательные свойства омических контактов. Сделана оценка увеличения оптической площади сбора фотонов за счет лучей, испытывающих многократные отражения внутри полупроводниковых чипов с различающимися геометрическими характеристиками.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.