Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4?, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Крыжановская Н.В.1
  • Полубавкина Ю.С.2
  • Неведомский В.Н.3
  • Никитина Е.В.4
  • Лазаренко А.А.5
  • Егоров A.Ю.6
  • Максимов М.В.7
  • Моисеев Е.И.8
  • Жуков А.Е.9
стр. 276-280
Платно
1 Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 2 Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской Академии наук, Санкт-Петербург, 4 Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН, 5 Санкт-Петербургский Академический университет Российской академии наук; Университет ИТМО, 6 Научно-исследовательский институт гриппа Министерства здравоохранения Российской Федерации, Санкт-Петербург, 197376, 7 Нижегородский государственный университет им. Лобачевского, 8 119991 Москва, Ленинские горы, ВМК МГУ, 9 Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет РАН; Санкт-Петербургский научный центр РАН
Аннотация:
Исследованы структурные и оптические свойства слоев GaP и GaPN, синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si (100), разориентированных на 4?. Показана возможность получения буферных слоев GaP, обладающих высокой планарностью гетероинтерфейсов с плотностью выходов дислокаций на поверхность не более 2 10 см . Получено излучение структуры Si/GaP/GaPN в спектральном диапазоне 630 640 нм при комнатной температуре. Применение отжига в процессе роста структуры Si/GaP/GaPN позволило увеличить интенсивность фотолюминесценции при комнатнойтемпературе в 2.6 раза без сдвига положения максимума линии излучения.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.