Статья «Особенности зонной структуры и механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного Y, "Физика и техника полупроводников"»

Исследованы кристаллическая и электронная структуры, энергетические, кинетические и магнитные характеристики полупроводника n -HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Y, в диапазонах: T = 80 400 K, N Y 1.9 1020 5.721 см-3 ( x = 0.01 0.30) и H 10 кГс. Установлена природа механизма генерирования структурных дефектов, приводящего к изменению ширины запрещенной зоны и степени компенсации полупроводника, суть которого в одновременном уменьшении и ликвидации структурных дефектов донорной природы в результате вытеснения 1% атомов Ni из позиции Hf (4 a ) и генерировании структурных дефектов акцепторной природы при замещении атомов Hf в позиции 4 a атомами Y. Результаты расчета электронной структуры Hf1-x Yx NiSn согласуются с экспериментальными данными. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.