Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Электрофизические свойства и механизмы переноса в тонких пленках материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe-Sb2Te3, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Шерченков А.А.1
  • Козюхин С.А.2
  • Лазаренко П.И.3
  • Бабич А.В.4
  • Богословский Н.А.5
  • Сагунова И.В.6
  • Редичев Е.Н.7
стр. 154-160
Платно
1 Национальный исследовательский университет ”Московский институт электронной техники“, 2 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва, 3 Национальный исследовательский университет ”Московский институт электронной техники“, 4 Запорожский национальный технический университет, 69063 Запорожье, Украина, 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 6 Национальный исследовательский университет ”Московский институт электронной техники“, 7 Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
Аннотация:
Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик тонких пленок материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников квазибинарного разреза GeTe Sb2Te3: Ge2Sb2Te5, GeSb2Te4 и GeSb4Te7. Изучено влияние изменения состава по линии квазибинарного разреза на электрофизические характеристики и механизмы переноса тонких пленок. Установлено наличие трех диапазонов с различной зависимостью между током и напряжением. Оценено положение и концентрация энергетических уровней, контролирующих перенос носителей. Полученные результаты показывают, что электрофизические свойства тонких пленок могут существенно изменяться при движении вдоль линии квазибинарного разреза GeTe Sb2Te3, что важно для целенаправленной оптимизации технологии фазовой памяти.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.