Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние „объема“ активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Некоркин С.М.1
  • Звонков Б.Н.2
  • Байдусь Н.В.3
  • Дикарева Н.В.4
  • Вихрова О.В.5
  • Афоненко А.А.6
  • Ушаков Д.В.7
стр. 75-78
Платно
1 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Лобачевского,, 2 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 3 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 4 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Лобачевского,, 5 Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского, 6 Белорусский государственный университет, 7 Институт психологии РАН
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.001.14
Аннотация:
Исследованы излучательные свойства лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP с вытеканием излучения через подложку в зависимости от числа квантовых ям в активной области и лазерных диодов на их основе. Установлено, что наличие 6-8 квантовых ям в активной области является оптимальным с точки зрения наблюдаемых значений порогового тока и выходной оптической мощности лазеров.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.