Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Оптимизация параметров источников питания, возбуждаемых ?-излучением, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Булярский С.В.1
  • Лакалин А.В.2
  • Абанин И.Е.3
  • Амеличев В.В.4
  • Светухин В.В.5
стр. 68-74
Платно
1 Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, 2 Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, 3 Научно-производственный комплекс „Технологический центр“, 4 Научно-производственный комплекс, Технологический центр, 5 Ульяновский государственный университет 432700 Ульяновск, ул. Л. Толстого, 42
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.001.13
Аннотация:
А 29 февраля 2016 г. Принята к печати 25 мартя 2016 г.) Представлены результаты экспериментальных исследований и расчетов эффективности преобразования энергии источников ?-излучения Ni-63 в электрическую с помощью кремниевых p-i-и-диодов. Все вычисления выполнены с учетом распределения ?-электронов по энергиям. Получено выражение для напряжения холостого хода преобразователя с учетом распределения электронов высоких энергий в области пространственного заряда p-i-и-диода. Показаны пути оптимизации параметров преобразователя за счет совершенствования технологии изготовления диодов, оптимизации толщины активного слоя излучателя и i-области полупроводникового преобразователя. Вычислено распределение потерь на преобразование источника и приемника излучения, а также потерь при входе электронов высоких энергий в полупроводник. Экспериментальные значения эффективности преобразования 0.4-0.7% хорошо согласуются с расчетными параметрами.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.