Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Исследование параметров наноразмерного слоя в наногетероструктурах на основе полупроводниковых соединений AB, "Физика и техника полупроводников"»

Авторы:
  • Караваев М.Б.1
  • Кириленко Д.А.2
  • Иванова Е.В.
  • Попова Т.Б.3
  • Ситникова А.А.4
  • Седова И.В.5
  • Заморянская М.В.6
стр. 56-62
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 2 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 5 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
  • SDI: 007.001.0015-3222.2017.051.001.11
Аннотация:
Методами локальной катодолюминесценции и рентгеноспектрального микроанализа проведено комплексное исследование широкозонных наногетероструктур на основе ZnSe, полученных методом молекулярнопучковой эпитаксии. Было показано, что используемые методы позволяют неразрушающим способом определять глубину залегания, элементный состав и геометрические параметры наноразмерного слоя ZnCdSe. Точность результатов контролировалась методом просвечивающей электронной микроскопии. Методики исследования основаны на возможности варьирования энергии первичного электронного пучка, что приводит к изменению областей генерации характеристического рентгеновского излучения и катодолюминесценции.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.