Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Кинетика накопления при фотовозбуждении и релаксации избыточных дырок в мелких квантовых ямах GaAs/AlGaAs, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Кочиев М. В.1
  • Цветков В.А.2
  • Сибельдин Н. Н.3
стр. 200-206
Платно
1 Физический институт им. Лебедева РАН, 2 Физический институт им. Лебедева РАН, 3 Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук
  • SDI: 007.001.0370-274X.2015.000.3-4.200.206
  • ISSN: 0370-274X
Аннотация:
В мелких квантовых ямах (КЯ) GaAs/AlGaAs (ж = 0.05) методом фотолюминесценции изучены кинетики накопления и релаксации долгоживущих избыточных дырок, появляющихся в КЯ при надбарьерном фотовозбуждении, а также процессы установления стационарного состояния в неравновесной электронно-дырочной системе при различных комбинациях квазистационарных внутриямного и надбарьерного возбуждений. Обнаружено, что температурная зависимость времени релаксации (исчезновения) избыточных дырок из КЯ имеет активационный характер и определяется двумя энергиями активации. Установлено, что рассеяние экситонов, образующихся при нерезонансном внутриямном возбуждении, на долгоживущих дырках приводит к охлаждению экситонной системы.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.