Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И ПРОВОДИМОСТЬ КРИСТАЛЛОВ (1-X)TLGASE2?XTM, "Неорганические материалы"»

Авторы:
  • Мустафаева С.Н.1
  • Асадов С.М.2
  • Керимова Э.М.3
стр. 662-667
Платно
1 Институт физики Национальной Академии наук Азербайджана, Баку, 2 Институт катализа и неорганической химии им. М. Нагиева Национальной академии наук Азербайджана, AZ1143 Баку, пр. Г. Джавида, 113, 3 Институт физики НАН Азербайджана, Баку
Ключевые слова:
  • кристаллы
  • диэлектрическая проницаемость
  • прыжковая проводимость
  • частотная дисперсия
  • диэлектрические потери
Аннотация:
Синтезированы образцы на основе слоистого TlGaSe2, содержащие тулий: (1-x)TlGaSe2?xTm, с х=0.001, 0.005, 0.01 и 0.02. Из полученных поликристаллических образцов методом Бриджмена выращены кристаллы соответствующих составов. Состав образцов (1-x)TlGaSe2?xTm определен методом рентгенофазового анализа. Изучены диэлектрические свойства образцов в переменных электрических полях с частотой f=5?104-3.5?107 Гц. Установлены релаксационный характер диэлектрической проницаемости, природа диэлектрических потерь, а также прыжковый механизм переноса заряда в образцах (1-x)TlGaSe2?xTm. Показано, что с увеличением концентрации тулия среднее расстояние и время прыжков носителей заряда уменьшаются, а проводимость на переменном токе и плотность локализованных состояний вблизи уровня Ферми увеличиваются.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.