Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «РЕАКТОРЫ ДЛЯ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ НИТРИДА ГАЛЛИЯ: НАСТОЯЩЕЕ И БУДУЩЕЕ, "Научное приборостроение"»

Авторы:
  • Лундин Всеволод Владимирович1
  • Заварин Е. Е.2
  • Сахаров А.В.
  • Цацульников А.Ф.3
  • Устинов В. М.4
стр. 5-9
Платно
1 НТЦ Микроэлектроники РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2 НТЦ Микроэлектроники РАН; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 3 Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук; Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 4 Физико-технический институт им. Иоффе РАН
  • SDI: 007.001.0868-5886.2017.027.001.1
  • УДК: 621.382
Ключевые слова:
  • нитриды III группы
  • МОС-гидридная эпитаксия
  • технологическое оборудование
  • LED
  • HEMT
  • III-N
  • MOVPE
  • technological equipment
  • LED
  • HEMT
Аннотация:
Представлен анализ ситуации, сложившейся на рынке оборудования для МОС-гидридной эпитаксии соединений на основе нитрида галлия, и видение проблем и открывающихся возможностей. Даны практические результаты работы по реализации подхода авторов к созданию МОС-гидридного оборудования.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%