Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «АЛГОРИТМ МОДИФИКАЦИИ ТОПОЛОГИЧЕСКОГО СЛОЯ СБИС СТРУКТУРАМИ ЗАПОЛНЕНИЯ НА ОСНОВЕ МОДЕЛИРОВАНИЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПЛАНАРИЗАЦИИ, "Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Амирханов А.В.1
  • Гладких А.А.2
  • Макарчук В.В.3
  • Столяров А.А.4
  • Шахнов В.А.5
стр. 463-
Платно
1 Научно-исследовательский институт системных исследований РАН, 2 Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, 3 Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, 4 Институт ядерных исследований РАН, Москва, 5 Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана
  • В выпуске: №6, 2013, Том 42
  • В журнале: Микроэлектроника
  • Издательство: ФГУП «Издательство «Наука»
  • Рубрика ГРНТИ: Информатика. Информационные и вычислительные системы
  • Год выхода: 2013
Ключевые слова:
  • микроэлектроника
  • планаризация
Аннотация:
Рассмотрен подход к моделированию процесса химико-механической планаризации (далее ХМП) на основе понятия эффективной плотности заполнения, позволяющий рассчитать распределение толщины межслойного диэлектрика (далее МСД) по поверхности кристалла СБИС. Проведено сравнение ранее предложенной в работе [1], полиномиальной модели ХМП с моделью [2]. Описан предложенный в работе [3] алгоритм модификации рисунка топологического слоя СБИС структурами заполнения (<i>Dummy Filling Features</i>, далее СЗ) с использованием предложенной полиномиальной модели. Представлены результаты модельных исследований применения разработанного алгоритма модификации топологических слоев на примерах различных типов СБИС.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.