Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «РАЗМЕР ОДНОСЛОЙНОГО ГРАФЕНА, ПОЛУЧАЕМОГО В ХОДЕ МАТРИЧНОГО СИНТЕЗА НА ПОВЕРХНОСТИ КАРБИДА КРЕМНИЯ И В ПРОЦЕССАХ CVD НА РАЗЛИЧНЫХ ПОДЛОЖКАХ, "Журнал физической химии"»

Авторы:
  • Алексеев Н.И.1
стр. 782-791
Платно
1 Санкт-Петербургский электротехнический университет “ЛЭТИ”
Ключевые слова:
  • графен
  • эпитаксиальные методы
  • CVD-технология
  • квантовая химия
  • синтез графена на карбиде кремния
Аннотация:
Приведены оценки и расчет максимальной площади однородного графенового листа, формируемого в ходе высокотемпературной сублимации кремния на поверхности карбида кремния SiC и в процессах CVD. Описан характер неустойчивости однослойного графена по отношению к разрыву на фрагменты или структуры террасного типа, в которых отсутствие внутренних напряжений компенсирует проигрыш в энергии оборванных связей на кромках. Проведено сопоставление размеров структур с экспериментальными данными по наиболее успешным результатам выращивания графенов.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.  

 

* - цена актуальна только для физических лиц
В т.ч. НДС 20%