Статья «МОДЕЛИРОВАНИЕ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ ГРАФЕНОВ И ГРАФЕНОВЫХ НАНОСТЕНОК ПОЛУЭМПИРИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ КВАНТОВОЙ ХИМИИ, "Журнал физической химии"»

Проведено моделирование системы “подложка-графеновый островок на ее поверхности” полуэмпирическими методами квантовой химии и для различных подложек. Установлено, что при различных размерах островка такая система отвечает процессу росту графена на соответствующих подложках при использовании CVD-метода; при этом углеродные атомы могут встраиваться в островок как со стороны подложки, так и со стороны обращенного к ней объема CVD-реактора. Показано, что в широком диапазоне размеров островка наиболее выгодной его конфигурацией по отношению к подложке является структура углеродной наностенки, ориентированной перпендикулярной подложке. Отмечено, что переход к такой конфигурации реально возможен лишь в ситуации стимулирования метода CVD с помощью плазмы, когда вблизи поверхности подложки существует сильное приэлектродное поле и одновременно реализуется предварительное расщепление углеродного носителя в объеме CVD-реактора.