Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ВЛИЯНИЕ УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОК Pb НА ПОВЕРХНОСТНЫЕ ТОПОЛОГИЧЕСКИЕ И КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫЕ СОСТОЯНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ ИЗОЛЯТОРОВ Bi2Ses И Sb2Tes, "Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Сурнин Ю. А.1
  • Климовских И.И.2
  • Состина Д. М.3
  • Кох К.А.4
  • Терещенко О.Е.5
  • Шикин А.М.6
стр. 649-655
Платно
1 Санкт-Петербургский государственный университет, 2 198504, Санкт-Петербургский государственный университет, 3 Санкт-Петербургский государственный университет, 4 Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия, 5 Институт физики полупроводников им. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия, 6 198504, Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация:
Методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением экспериментально изучено влияние ультратонкой пленки Pb на поверхности соединений ВЬЯез и Sb2Te3 на структуру электронных состояний топологических изоляторов. Выявлено наличие следующих особенностей: формирование двумерных состояний квантовой ямы в приповерхностной области, возрастание энергии связи дираковского конуса и внутренних уровней и одновременное перераспределение интенсивности электронных состояний системы в фотоэлектронных спектрах. Полученные результаты свидетельствуют о том, что топологические состояния имеют возможность существовать на границе раздела изучаемых материалов со сверхпроводником, что представляется перспективным для применен

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.