Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭФФЕКТА БЛИЗОСТИ КАРМАНА И ЕГО ВЛИЯНИЯ НА ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СУБМИКРОННОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Кулиш А.М.1
стр. 66-69
Платно
1 АО «НИИМЭ»
Аннотация:
При масштабировании элементов интегральной схемы необходимо учитывать неизбежное влияние как соседних компонентов друг на друга, так и особенностей технологических процессов их формирования. В работе показано, что вследствие процессов рассеяния атомов примеси в фоторезистивной маске на этапе легирования кармана расстояние от маски до затвора дает вклад в характеристики транзистора, влияя на концентрацию примеси в области канала. Представлены результаты приборно-технологического моделирования, показывающие влияние положения края фоторезистивной маски относительно затвора на приповерхностную концентрацию примеси в МДП-транзисторах n- и p-типа с длиной затвора L = 0.25 мкм и их пороговые напряжения. Показано, что для рассматриваемой геометрии транзистора и заданных параметров ионной имплантации расстояние между краем маски и затвором, необходимое для нивелирования эффекта близости, составило 3 мкм для n- и p-транистора.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.