Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «МОДЕЛИРОВАНИЕ В ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ КООРДИНАТАХ ВОЗДЕЙСТВИЯ ТЗЧ НА МОП-СТРУКТУРУ ДЛЯ ОЦЕНКИ СЕЧЕНИЯ СБОЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Смирнова В.П.1
  • Крупкина Т.Ю.2
  • Мещанов В.Д.3
стр. 70-79
Платно
1 Национальный исследовательский университет «МИЭТ»; ООО «НИИМЭ-Микродизайн», 2 Национальный исследовательский университет «МИЭТ», 3 ООО «НИИМЭ-Микродизайн»
Аннотация:
Представлена модель в цилиндрических координатах для приборно-технологического моделирования эффектов воздействия ТЗЧ на n-МОП-структуру в TCAD. Выработанный критерий сбоя на основе граничного тока позволяет определить радиус воздействия диффузионного тока, возникшего от частицы. Предложена методика быстрой аналитической оценки сечения сбоя микросхемы памяти с использованием полученных результатов моделирования. Проведена апробация методики с использованием экспериментальных данных, полученных по результатам испытаний опытных образцов микросхем СОЗУ информационной емкостью 16 Мбит, изготовленных по технологии КМОП с проектными нормами 90 нм.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.