Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «К ВОПРОСУ О МЕХАНИЗМЕ ПРОВОДИМОСТИ В МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Макеев В.В.1
  • Теплов Г.С.2
  • Саттаров П.Ш.3
стр. 34-42
Платно
1 АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», 2 АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», 3 АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники»
Аннотация:
Приведены результаты исследования ВАХ и механизма проводимости в RERAM на базе нестехиометрического нитрида. Сделана попытка объяснить разброс экспериментальных характеристик и сложность моделирования токопереноса в мемристорах кластерной структурой пленки нестехиометрического нитрида. Выдвинуто предположение, что при реальных толщинах функционального слоя в 4–8 нм, разброс параметров RERAM связан с неоднородностью фазового состава этого слоя. Наличие в слое кластеров, соизмеримых с толщиной пленки и имеющих различный химический состав, вносит элемент случайности в результаты измерения ВАХ и не позволяет корректно рассчитать параметры модели.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.