Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «КИНЕТИКА РАДИКАЛЬНОГО ОКИСЛЕНИЯ КРЕМНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Черняев М.В.1
  • Горохов С.А.2
  • Патюков С.И.3
  • Резванов А.А.4
стр. 31-44
Платно
1 АО «НИИМЭ», 2 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ), 3 АО «НИИМЭ», 4 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ)
Аннотация:
Исследована кинетика радикального окисления кремниевой пластины в системе индивидуальной загрузки при проведении процесса окисления с генерацией пара у поверхности пластины (in situ steam-generation – ISSG), основанном на сгорании водорода. Для определения констант радикального окисления использовались полученные зависимости толщины оксида от времени при различной температуре и фиксированных остальных параметрах технологического процесса. Показано, что радикальное ISSG окисление при низком давлении характеризуется высокой скоростью роста и определяется концентрацией радикалов кислорода. Константы радикального окисления позволяют объяснить слабую чувствительность толщины оксида к кристаллической ориентации, степени легирования и напряжениям. Описание радикального окисления линейно параболическим и экспоненциальным законами роста имеет практическое значение, так как позволяет совместно с моделированием состава газовой среды прогнозировать ISSG окисление в широком диапазоне параметров процесса.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.