Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «СПЕЦИФИКА ПЕРЕХОДА К ТЕХНОЛОГИИ «28 НМ» В ЧАСТИ РАЗРАБОТКИ ФОТОШАБЛОНОВ ДЛЯ ПРОЕКЦИОННОЙ ФОТОЛИТОГРАФИИ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Балан Н.Н.1
  • Иванов В.В.2
  • Кузовков А.В.3
  • Панкратов А.Л.4
  • Соколова Е.В.5
  • Харченко Е.Л.6
  • Шипицин Д.С.7
стр. 5-19
Платно
1 АО «НИИМЭ», 2 АО «НИИМЭ», 3 АО «НИИМЭ», 4 АО «НИИМЭ», 5 АО «НИИМЭ», 6 АО «НИИМЭ», 7 АО «НИИМЭ»
Аннотация:
В условиях текущего уровня развития российской микроэлектроники переход к проектным нормам «28 нм» влечет необходимость использования как более совершенных литографических установок и фотошаблонов (ФШ) более высоких групп качества, так и новых для отечественных разработчиков вычислительных методов, применяемых при проектировании фотошаблонов. В статье производится обзор основных касающихся разработки ФШ технологических и инструментальных особенностей, характерных для литографии проектных норм «28 нм», в сравнении с наиболее современной из имеющихся в России серийных технологий производства СБИС – технологией проектных норм «90 нм».
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.