Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИССЛЕДОВАНИЕ ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ В МЕМРИСТОРЕ НА ОСНОВЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Красников Г.Я.1
  • Макеев В.В.2
  • Саттаров П.Ш.3
  • Степанов А.А.4
  • Орлов О.М.5
стр. 55-61
Платно
1 АО «НИИМЭ», 2 АО «НИИМЭ», 3 АО «НИИМЭ»; Национальный исследовательский университет МИЭТ, 4 АО «НИИМЭ»; Национальный исследовательский университет МИЭТ, 5 АО «НИИМЭ»
Аннотация:
В статье приведены результаты экспериментальных исследований зависимостей ВАХ тестовых мемристорных структур на основе нитрида кремния от времени хранения и электрических режимов. Определена ширина окна памяти, ее зависимость от температуры и напряжения чтения. Исследовано переключение тестовых структур в импульсном режиме при многократном циклировании. Исследованы ВАХ при различных температурах. Проведен расчет времени хранения состояния мемристорной структуры по модели Аррениуса.

Предоставляются только метаданные.