Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ И РАЗРАБОТКА ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ С ИСТОЧНИКОМ ВЫСОКОПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ ICPCVD НА ПЛАСТИНЫ ДИАМЕТРОМ ДО 300 ММ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Долгополов В.М.1
  • Одиноков В.В.2
  • Иракин П.А.3
  • Варакин В.М.4
  • Моргун С.В.5
  • Усов И.А.6
стр. 14-18
Платно
1 АО «НИИТМ», 2 ОАО Научно-исследовательский институт точного машиностроения, 3 АО «НИИТМ», 4 АО «НИИТМ», 5 АО «НИИТМ», 6 АО «НИИТМ»
Аннотация:
Свойства и качество диэлектрических пленок, получаемых методом ICPCVD, широко известны. Однако решение проблемы равномерности при переходе на пластины диаметром до 300 мм является непростой задачей. Целью данной работы была разработка реактора с уникальной системой равномерной подачи газа для низкотемпературного плазмохимического осаждения диэлектрических слоев на пластины диаметром до 300 мм.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.