Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «INVESTIGATION OF THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF MEMRISTOR STRUCTURES BASED ON SILICON NITRIDE, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Krasnikov G.Ya.1
  • Gornev E.S.2
  • Mizginov D.S.3
стр. 32-34
Платно
1 MERI, JSC, 2 MERI, JSC, 3 MERI, JSC
Аннотация:
In this article, a study was made of the charge storage time in a memristor based on SiN. The distribution profile of traps in the band gap of SiN, their energy and concentration are determined.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.