Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ Часть 4. Температурные зависимости скоростей осаждения и плотности пленок, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Васильев В.Ю.1
стр. 18-26
Платно
1 НГТУ; ООО «СибИС»
Аннотация:
В четвертой части обзора проанализированы данные по температурным зависимостям скоростей роста и плотности тонких пленок диоксида кремния (ТПДК) при атомно-слоевом осаждении с термической и плазменной активацией (ТА-АСО и ПА-АСО) и использованием различных реагентов-предшественников. Выделены характерные температурные диапазоны, в которых наблюдаются принципиальные отличия ростовых характеристик при ПА-АСО и ТА-АСО, а также плотности ТПДК.

Предоставляются только метаданные.