Статья «ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ И КОНСТРУКЦИИ ЭЛЕМЕНТОВ СБИС СОЗУ С ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ УРОВНЕМ 90 НМ ДЛЯ БОРТОВОЙ КОСМИЧЕСКОЙ АППАРАТУРЫ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Рассмотрены проблемы, возникшие при разработке СБИС СОЗУ для бортовой космической аппаратуры на основе КМОП технологии с уровнем 90 нм. СОЗУ 16 Мбит, разработанное на основе лицензированной базовой технологии и правил проектирования имело весьма низкую устойчивость к воздействию одиночных космических частиц. Величина линейных потерь энергии (ЛПЭ) составила всего 3 МэВ · см/мг (т.е. защелка наступала от самой маленькой частицы – Ne). При помощи компьютерного моделирования были разработаны новые правила проектирования и осуществлено проектирование новой микросхемы. В результате значение ЛПЭ составило 80 МэВ · см/мг (т.е. максимального значения, которое могло быть получено при испытаниях – воздействие Xe). При этом температурный диапазон увеличен до +125 градусов и напряжение питания изменено с 2,5 до 3,3 В. Т.о. экспериментально показана возможность создания и производства СБИС высокой степени интеграции, соответствующих требованиям бортовой космической аппаратуры на основе базовой технологии уровня 90 нм, освоенной в ПАО «Микрон».