Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ. Часть 3. Процессы с азотсодержащими предшественниками, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Васильев В.Ю.1
стр. 19-30
Платно
1 Новосибирский Государственный Технический Университет, кафедра Полупроводниковых приборов и микроэлектроники (ППиМЭ)
Аннотация:
В третьей части обзора проанализированы процессы атомно-слоевого осаждения тонких пленок диоксида кремния с использованием азотсодержащих реагентов-предшественников с термической и плазменной активацией. Обсуждаются схемы роста, состав и свойства слоев, проблемы характеризации и перспективы промышленного применения процессов.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.