Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ КМОП КНИ-ТРАНЗИСТОРОВ С ПОВЫШЕННОЙ СТОЙКОСТЬЮ К НАКОПЛЕННОЙ ДОЗЕ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ, "Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника"»

Авторы:
  • Лагаев Д.А.1
  • Шелепин Н. А.2
стр. 5-13
Платно
1 АО «НИИМЭ»; НИУ «МИЭТ», 2 АО “Научно-исследовательский институт молекулярной электроники”
Аннотация:
В работе рассмотрены методы повышения стойкости интегральных микросхем к ионизирующему излучению, реализованных на базе КНИ КМОП технологии. Дается описание основных эффектов, возникающих в КНИ КМОП-транзисторах при взаимодействии с ионизирующим излучением космического пространства. Представлен ряд приемов, позволяющих повысить радиационную стойкость ИМС на базе КНИ КМОП технологии. Анализируются перспективы развития изделий микроэлектроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям в условиях постоянного уменьшения проектных норм.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.