Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПРИБОРОВ НА ОСНОВЕ SIC, "Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронны"»

Авторы:
  • Лебедев 1
стр. 77-82
Платно
1
Ключевые слова:
  • радиационная стойкость
  • диод
  • барьер Шоттки
Аннотация:
Рассматриваются вопросы радиационной стойкости диодов различного назначения, сформированных на базе слабо легированных эпитаксиальных слоев n?4H-SiC с барьерами Шоттки и ионно-легированными p?n- и n?p-переходами. Исследуется влияние облучения высокоэнергетическими частицами в широком интервале значений их энергии и масс – от электронов до тяжелых ионов Bi – на электрические и оптические характеристики приборов на основе 4Н-SiC. Показаны общие закономерности радиационного дефектообразования при облучении различными частицами с высокой энергией. Подтверждена высокая радиационная стойкость 4Н-SiC, и показана возможность увеличения его радиационного и временного ресурсов при больших энергиях облучающих частиц и рабочих температурах до 400–500 °C.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.