Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «АНАЛИЗ ТРЕХМЕРНОЙ МОДЕЛИ ДИФФУЗИИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, ГЕНЕРИРОВАННЫХ ЭЛЕКТРОННЫМ ЗОНДОМ В ОДНОРОДНОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МАТЕРИАЛЕ, С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОЕКЦИОННЫХ МЕТОДОВ, "Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования"»

Авторы:
  • Серегина Е.В.1
  • Степович М.А.2
  • Макаренков А.М.3
стр. 93-100
Платно
1 Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, Калуга, Россия, 2 Калужский государственный университет им. К.Э. Циолковского, Калуга, 3 Калужский филиал Московского государственного технического университетаим. Н.Э. Баумана, Калуга, Россия
Ключевые слова:
  • электронный зонд
  • полупроводник
  • распределение неосновных носителей заряда
  • проекционные методы
  • устойчивость
  • electron beam
  • semiconductor
  • distribution of minority charge carriers
  • projection methods
  • stability
Аннотация:
Изложены алгоритмы использования проекционного метода Галеркина и проекционного метода наименьших квадратов для анализа трехмерной модели диффузии неосновных носителей заряда, генерированных электронным зондом в полупроводниковом материале. Приведено сравнение результатов, полученных с применением этих методов с аналитическим решением. Дана оценка погрешности, получено условие вычислительной устойчивости проекционного метода наименьших квадратов в виде предельного соотношения.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.