Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре (Al,Ga)N/6H-SiC при росте методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Нечаев Д.В.1
  • Ситникова А.А.2
  • Брунков П.Н.3
  • ИВАНОВ С. В.4
  • Жмерик В.Н.5
стр. 67-74
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 3 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 4 ООО «Исследовательский центр “Бреслер”», 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Аннотация:
Исследованы in situ генерация и релаксация напряжений в гетероструктуре AlGaN/GaN/AlN общей толщиной более 3 ?m в процессе ее роста на подложке 6H-SiC методом низкотемпературной плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии при температурах подложки 690-740°C. При комнатной температуре слои AlN и GaN показали остаточные сжимающие напряжения величиной -2.3 и -0.1 GPa соответственно, что позволило исключить растрескивание структуры при ее постростовом остывании

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.