Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Контроль упругих напряжений с помощью оптической системы измерения кривизны подложки при росте гетероструктур III-N методом молекулярно-пучковой эпитаксии, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Золотухин Д.С.1
  • Нечаев Д.В.2
  • ИВАНОВ С. В.3
  • Жмерик В.Н.4
стр. 60-67
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 3 ООО «Исследовательский центр “Бреслер”», 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
Аннотация:
Описывается оригинальная оптическая система измерений кривизны подложек (ОСИКП), позволяющая с высокой точностью исследовать процессы генерации и релаксации упругих напряжений во время роста гетероструктур (ГС) на основе нитридных соединений III N методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии (ПА МПЭ). Применение разработанной ОСИКП для анализа роста ГС GaN/AlN/Si(111) позволило не только детально пронаблюдать динамику изменения упругих напряжений в этой структуре при ее металлобогащенном росте низкотемпературной ПА МПЭ, но и разработать конструкцию ГС, исключающую эффект растрескивания слоев за счет контроля величины сжимающих напряжений.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.