Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001), "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Лошкарев И.Д.1
  • Василенко А.П.2
  • Труханов Е.М.3
  • Колесников А.В.4
  • Putyato M.A.5
  • Есин М.Ю.6
  • Петрушков М.О.7
стр. 64-71
Платно
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 2 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 3 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 4 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 5 Institute of Semiconductor Physics, 6 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 7 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Аннотация:
С использованием метода рентгеновской дифрактометрии исследована структура пленок GaP, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на вицинальных подложках Si(1113). Установлено, что кристаллическая решетка псевдоморфной пленки поворачивается вокруг 110 в сторону увеличения отклонения от сингулярной ориентации. В процессе релаксации происходитповорот в противоположную сторону. Это справедливо для пленок обеих полярностей: (001) и (001?). Установлены отличия морфологии поверхности релаксированной и псевдоморфной пленок GaP.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.