Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Исследование связи степени дефектности светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов с величиной порогового тока, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Сергеев В.А.1
  • Фролов И.В.2
  • Радаев О.А.3
стр. 89-93
Платно
1 Камчатский филиал Геофизической службы РАН 683006 Петропавловск-Камчатский, бульвар Пийпа, 9, 2 Ракетно-космическая корпорация “Энергия” им. С.П. Королёва (РКК “Энергия”), 3 Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН ; Ульяновский государственный технический университет
Аннотация:
Показана возможность использования значений порогового тока для оценки качества светоизлучающих наногетероструктур зеленых InGaN/GaN-светодиодов. Определено, что значения порогового тока коррелируют со значениями тока, при котором наблюдается максимум токовой зависимости внешней квантовой эффективности светодиода. Показано, что при испытаниях в режиме постоянного тока светодиоды с большими значениями порогового тока деградируют быстрее, чем светодиоды с малыми значениями порогового тока.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.