Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Создание и электрические свойства гетеропереходов p-CuZnSnS/n-Si, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Юсупов А.1
  • Адамбаев К.2
  • Тураев З.З.3
  • Алиев С.Р.4
  • Кутлимратов А.5
стр. 98-103
Платно
1 Ташкентский автомобильно-дорожный институт, 2 Ташкентский автомобильно-дорожный институт, 3 Национальный университет Узбекистана им. М. Улугбека, 4 Андижанский государственный университет, 5 Физико-технический институт АН РУз
  • SDI: 007.001.0320-0116.2017.043.002.14
Аннотация:
Впервые получены анизотипные гетеропереходы p-CuZnSnS/n-Si методом сульфиризации базовых металлических слоев, предварительно напыленных на подложку из поликристаллического кремния. Анализируются вольт-амперные характеристики и обсуждаются механизмы токопрохождения в созданных структурах. Показано, что для прямого смешения характерны туннельнорекомбинационные процессы и токи, ограниченные пространственным зарядом. При обратных смещениях в гетеропереходе преобладают токи, ограниченные пространственным зарядом.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.