Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Релаксация напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Маричев А.Е.1
  • Левин Р.В.2
  • Гордеева А.Б.3
  • Гагис Г.С.4
  • Кучинский В.И.5
  • Пушный Б.В.6
  • Прасолов Н.Д.7
  • Шмидт Н.М.8
стр. 3-9
Платно
1 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 3 Физико-технический институт им. Иоффе РАН, 4 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 5 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 6 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 7 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 8 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН
  • SDI: 007.001.0320-0116.2017.043.002.1
Аннотация:
Исследованы особенности релаксации механических напряжений в InGaAsP/InP-гетероструктурах, являющихся основой для преобразователей лазерного излучения с длиной волны 1064 nm. Показано, что релаксация механических напряжений путем образования упорядоченного рельефа на поверхности слоев твердого раствора InGaAsP/InP-гетероструктур с составом твердого раствора по индию до 80% позволяет уменьшить вероятность спинодального распада твердого раствора, повысить на порядок интенсивность фотолюминесценции твердого раствора и увеличить эффективность преобразования лазерного излучения.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.