Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Влияние конструкции метаморфного буферного слоя на сохраняемость параметров метаморфного транзистора InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Никитина Е.В.1
  • Лазаренко А.А.2
  • Пирогов Е.В.3
  • Соболев М.С.4
  • Березовская Т.Н.5
стр. 97-102
Платно
1 Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН, 2 Санкт-Петербургский Академический университет Российской академии наук; Университет ИТМО, 3 Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет РАН, 4 Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет РАН, 5 Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет РАН
Аннотация:
Исследуется влияние конструкции метаморфного буферного слоя на изменения с течением времени электрофизических характеристик метаморфных транзисторов InGaAs/GaAs с высокой подвижностью электронов. С помощью Холловских измерений показано, что транзисторная гетероструктура с метаморфным буфером на основе сверхрешеток In(Al)GaAs/InAlAs обладает наибольшими значениями концентрации и подвижности электронов в канале и наименее подвержена деградации с течением времени.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.