Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Усилитель мощности X-диапазона с высоким КПД на основе технологии AlGaN/GaN, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Туральчук П.А.1
  • Кириллов В.В.2
  • Осипов П.Э.3
  • Вендик И.Б.4
  • Вендик О.Г.5
  • Парнес М.Д.6
стр. 20-26
Платно
1 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ,ЛЭТИ“, 2 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ,ЛЭТИ“, 3 ООО „Резонанс“, 4 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ,ЛЭТИ“, 5 Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет ,ЛЭТИ“, 6 ООО „Резонанс“
Аннотация:
Обсуждаются вопросы разработки микроволновых усилителей мощности на основе транзисторов с гетеропереходом AlGaN/GaN с целью увеличения их коэффициента полезного действия. Основное внимание уделено синтезу трансформирующих цепей, обеспечивающих реактивную нагрузку на частотах второй и третьей гармоник и комплексный импеданс на фундаментальной частоте, что позволяет оптимизировать режим работы усилителя мощности с точки зрения уменьшения рассеиваемой мощности и соответственно повышения эффективности. Представлены результаты экспериментального исследования микроволнового усилителя мощности на полевом транзисторе с затвором Шоттки с 80 электродами на GaN pHEMT-транзисторе с длиной затвора 0.25 nm и шириной затвора 125 nm. Усилитель имеет импульсную выходную мощность 35 W и КПД по добавленной мощности не менее 50% на рабочей частоте 9 GHz.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.