Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Технология роста и характеристики полученных тонких пленок иридата стронция и гетероструктур иридат-купратный сверхпроводник, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Петржик А.М.1
  • Cristiani G.2
  • Логвенов Г.3
  • Пестун А.Е.4
  • Андреев Н.В.5
  • Кислинский Ю.В.6
  • Овсянников Г. А.7
стр. 25-33
Платно
1 Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук, 2 Max Planck Institute for Solid State Research, 3 Max Planck Institute for Solid State Research, 4 Национальный исследовательский технологический университет „МИСиС“, 5 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, Москва, 6 Институт радиотехники и электроники им. Котельникова РАН, 7 Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук; Chalmers University of Technology
Аннотация:
Предложена и отработана технология эпитаксиального роста тонких пленок иридата стронция SrIrO и гетероструктур SrIrO/YBaCuO_, содержащих купратный сверхпроводник. Показано, что рост двухслойной структуры происходит эпитаксиально, а слой купратного сверхпроводника имеет ту же критическую температуру, что и автономная пленка (~ 91K). Кристаллографические параметры полученных пленок иридата близки к табличным значениям, температурные зависимости сопротивления тонких пленок согласуются с литературными данными.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.