Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Двумерный электронный газ в обращенных гетероструктурах с донорноакцепторным легированием, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Пашковский А.Б.1
  • Новиков С.И.2
  • Лапин В.Г.3
  • Лукашин В.М.4
стр. 42-51
Платно
1 НПП „ИСТОК“ им. Шокина, 2 Институт физики металлов УрО Российской академии наук, Россия, 620990 Екатеринбург, ул. С. Ковалевской, 18, 3 НПП „ИСТОК“ им. Шокина, 4 НПП „ИСТОК“ им. Шокина
Аннотация:
Предложена модификация обращенной гетероструктуры путем встраивания в структуру легированного акцепторами слоя, формирующего дополнительный потенциальный барьер, уменьшающий поперечный пространственный перенос горячих электронов в подложку. Согласно проведенным расчетам, такая структура имеет разность энергий между уровнями размерного квантования, в несколько раз превышающую энергию оптического фонона в GaAs, и повышенную линейность передаточной характеристики.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.