Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Выращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения, "Письма в Журнал технической физики"»

Авторы:
  • Тарала В.А.1
  • Алтахов А.С.2
  • Амбарцумов М.Г.3
  • Мартенс В.Я.4
стр. 67-73
Платно
1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Северо-Кавказский федеральный университет”, Ставрополь, 2 Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь, 3 Северо-Кавказский федеральный университет, 4 Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь
  • SDI: 007.001.0320-0116.2017.043.001.9
Аннотация:
Исследована возможность использования метода плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения для выращивания ориентированных пленок AlN на подложках АЬОз при температурах менее 300° C. Проведены исследования образцов методами рентгенофазового анализа и эллипсометрии. Показано, что при длительностях плазменной экспозиции боле 20 s осаждаются пленки, обладающие показателем преломления, равным 2.03 ±0.03. На рентгенограммах этих образцов присутствуют рефлексы (0002) и (0004) при углах 20, равных 35.7° и 75.9°, характерные для гексагонального политипа AlN. У наилучшего образца для рефлекса (0002) ширина кривой качания на полувысоте интенсивности (FWHM) составила порядка 162 ±11 arcsec.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.