Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf 0.5Zr 0.5O 2, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Исламов Д.Р.1
  • Черникова А.Г.2
  • Козодаев М.Г.3
  • Маркеев А.М.4
  • Перевалов Т.В.5
  • Гриценко В.А.6
  • Орлов О.М.7
стр. 610-614
Платно
1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО Российской АН, 2 Московский физико-технический институт (Государственный университет), 3 Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия, 4 Московский физико-технический институт (государственный университет), 5 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО Российской АН, 6 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, 7 Московский физико-технический институт (государственный университет)
  • SDI: 007.001.0370-274X.2015.000.7-8.610.614
  • ISSN: 0370-274X
Аннотация:
Исследован механизм транспорта заряда в тонких аморфных и сегнетоэлектрических пленках Hf 0.5Zr 0.5O 2 Показано, что в изучаемых материалах механизм транспорта не зависит от кристаллической фазы и является фонон-облегченным туннелированием между ловушками. В результате сравнения экспериментальных вольт-амперных характеристик структур TiN/Hf 0.5Zr 0.5O 2/Pt с рассчитанными определены параметры ловушки: термическая энергия 1.25 эВ и оптическая энергия 2.5 эВ. Оценена концентрация ловушек: ?10 19-10 20 см -3

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.