Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Период осцилляций фотопроводимости и динамика заряда квантовых точек в p-i-n GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Ханин Ю. Н.1
  • Вдовин Е. Е.2
  • Макаровский О.3
  • Хенини М.4
стр. 830-836
Платно
1 Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 2 Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 3 School of Physics and Astronomy, University of Nottingham, 4 School of Physics and Astronomy, Nottingham Nanotechnology and Nanoscience Centre, University of Nottingham
  • SDI: 007.001.0370-274X.2015.000.11-12.830.836
  • ISSN: 0370-274X
Аннотация:
Изучены квантовые осцилляции фотопроводимости в p-i-n GaAs/InAs/AlAs гетероструктурах с квантовыми точками. На основе простой электростатической модели показано доминирующее влияние динамики накопления заряда фотовозбужденных дырок на квантовых точках на период осцилляций и их эволюцию с изменением мощности освещения в целом. Исследования температурных зависимостей осцилляционной структуры вольт-амперных характеристик подтвердили нашу интерпретацию.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.