Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа, "Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики"»

Авторы:
  • Якимов А.И.1
  • Кириенко В.В.2
  • Блошкин А.А.3
  • Армбристер В.А.4
  • ДВУРЕЧЕНСКИЙ А.В.5
стр. 846-850
Платно
1 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 2 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО Российской АН, 3 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 4 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 5 Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН
  • SDI: 007.001.0370-274X.2015.000.11-12.846.850
  • ISSN: 0370-274X
Аннотация:
Методом фототоковой спектроскопии изучены электронные состояния в многослойных гетероструктурах Ge/Si с различным периодом расположения слоев квантовых точек Ge. Обнаружено увеличение энергии связи электронов при уменьшении толщины кремниевого спэйсера и растяжении слоев Si вблизи вершин нанокластеров Ge. Полученные результаты являются экспериментальным свидетельством деформационного механизма происхождения локализованных электронных состояний в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.