Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ТЕХНОЛОГИЯ И ПАРАМЕТРЫ ЗАРОЩЕННОГО ЛАЗЕРНОГО ДИОДА С ДЛИНОЙ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ 1310 НМ, РАБОТАЮЩЕГО В СВЧ-ДИАПАЗОНЕ, "Неорганические материалы"»

Авторы:
  • Васильев М.Г.1
  • Васильев А.М.2
  • Изотов А.Д.3
  • Филатов Я.Г.4
  • Шелякин А.А.5
стр. 573-
Платно
1 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва, 2 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва, 3 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва, 4 Российский университет дружбы народов, Москва, 5 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
Аннотация:
Методом жидкофазной эпитаксии выращены наногетероструктуры InGaAsP/InP и исследовано их структурное совершенство. На основе выращенных наногетероструктур созданы лазерные диоды спектрального диапазона длин волн 1310?1550 нм с зарощенным каналом в <i>p</i>-подложке InP. Конструкция зарощенного меза-полоскового диода с использованием полуизолирующего соединения А<sup>II</sup>В<sup>VI</sup> позволила создать лазерные диоды, работающие на длине волны 1310 нм со скоростью передачи телекоммуникационного сигнала до 5.5 ГГц. Показана технологичность и воспроизводимость полученных результатов. Проанализированы перспективы дальнейшего увеличения скорости передачи оптического сигнала.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.