Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «СТРУКТУРА НАНОКЛАСТЕРОВ Ge НА Si(001) ПРИ ИОННО-ЛУЧЕВОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ, "Неорганические материалы"»

Авторы:
  • Лунин Л.С.1
  • Чеботарев С.Н.2
  • Пащенко А.С.3
стр. 457-
Платно
1 Южный научный центр Российской академии наук, 2 Южный научный центр Российской академии наук, 3 Южный научный центр Российской академии наук
Аннотация:
Исследована температурная зависимость структурных переходов в гетеросистеме Ge/Si(001) (напряженный смачивающий слой <img src="/ItemImages/1112100/18892770/FO_1_1.gif" align=absmiddle border=0> <i>hut-</i>нанокластеры <img src="/ItemImages/1112100/18892770/FO_2_1.gif" align=absmiddle border=0> <i>dome-</i>нанокластеры), характерная для процесса ионно-лучевой кристаллизации. Показано, что повышение температуры с 350 до 550°C при одинаковой толщине осаждаемого “квазислоя” (d<sub>Ge</sub> = 4 монослоя) приводит к увеличению средних размеров <i>hut-</i>нанокластеров с 17 до 28 нм и вызывает смещение пиков фотолюминесценции в инфракрасную часть спектра (с 770 до 720 мэВ).

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.