Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «КОНЦЕПЦИЯ ПРИМЕСНОГО ДИСЛОКАЦИОННОГО МАГНЕТИЗМА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ AIIIBV, "Неорганические материалы"»

Авторы:
  • Саныгин В.П.1
  • Тищенко Э.А.
  • Дау Хьеу Ши 2
  • Изотов А.Д.3
стр. 8-
Платно
1 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва, 2 Российский университет дружбы народов, Москва, 3 Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН, Москва
Аннотация:
Свойство дислокаций притягивать к себе атомы примеси рассмотрено с точки зрения возможности формирования линейно протяженных магнитных структур в диамагнитных матрицах полупроводниковых соединений AIIIBV, легированных d-элементами. Для понимания возможных механизмов формирования и ожидаемых свойств таких структур проанализирован целый ряд экспериментальных работ, направленных на исследование особенностей преципитации атомов магнитно-неактивных элементов на краевых дислокациях в металлах и полупроводниках. Выявленные закономерности использованы при анализе свойств магнитно-активных атомов, локализованных вокруг дислокаций. Рассмотрена возможность создания принципиально новых магнитных полупроводников, в которых ячейками магнитной памяти служат дислокации, легированные d-элементами. Направление исследований, изложенное в работе, определено как концепция примесного дислокационного магнетизма в полупроводниковых соединениях AIIIBV.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.