Статья «ВОЗБУЖДЕНИЕ ИНТЕНСИВНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛН В ГЕКСАГОНАЛЬНЫХ КРИСТАЛЛАХ, "Кристаллография"»

Описано резонансное возбуждение интенсивной упругой волны с помощью отражения от свободной поверхности гексагонального кристалла волны накачки. Резонанс возникает при специальном выборе геометрии распространения, когда отражающая граница немного отклонена от симметричной ориентации, а интенсивная отраженная волна близка к направлению распространения особой объемной моды, удовлетворяющей условию свободной границы в невозмущенной симметричной ориентации. Показано, что в кристаллах с упругими модулями c₄₄c₆₆ резонанс возникает при выборе исходной границы, параллельной гексагональной оси <i>6</i>, а в кристаллах с модулями c₄₄c₆₆ ? когда исходная граница ортогональна этой оси. Доля энергии волны накачки, попадающая в возбуждаемый пучок, зависит от конкретных соотношений между модулями упругости и может быть весьма значительной при специальном подборе кристаллов. Приведены примеры кристаллов, в которых при достаточно высоких частотах можно повысить интенсивность пучка в 5?10 раз, сохранив его расходимость на приемлемом уровне.