Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «УСТРАНЕНИЕ ОКРАШИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ Sr1 - xCexF2 + x В ВИДИМОМ ДИАПАЗОНЕ СПЕКТРА ПРИ ИХ ВЫРАЩИВАНИИ ИЗ РАСПЛАВА, "Кристаллография"»

Авторы:
  • Каримов Д.Н.1
  • Ивановская Н.А.2
  • Самсонова Н.В.3
  • Сорокин Н.И.4
  • Соболев Б.П.5
  • Попов П.А.6
стр. 744-
Платно
1 Институт кристаллографии РАН, Москва, 2 Институт кристаллографии РАН, Москва, 3 Институт кристаллографии РАН, Москва, 4 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН, Москва, 5 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук, 6 Брянский государственный университет им. академика И.Г. Петровского
Аннотация:
Методом вертикальной направленной кристаллизации получены кристаллы Sr1 - xCexF2 + x составов, близких к конгруэнтному (x 0.3). Показано, что использование СF4 для создания фторирующей атмосферы в процессе выращивания приводит к появлению в кристаллах дополнительного паразитного поглощения в диапазоне 350?600 нм. Применение для фторирования PbF2 и ZnF2 позволяет получить из расплава бесцветные кристаллы Sr1 - xCexF2 + x требуемого оптического качества. Коэффициент теплопроводности кристалла при значении х 0.28 в интервале температур 80?500 К лежит в диапазоне 1.50 ± 0.03 Вт м-1К-1. Высокий уровень ионной проводимости показывает перспективность применения кристаллов Sr1 - xCexF2 + x в твердотельной ионике.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.