Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «ОБ АЛГОРИТМЕ ПОИСКА РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОТЕНЦИАЛА В ТРАНЗИСТОРЕ DG-MOSFET, "Журнал вычислительной математики и математической физики"»

Авторы:
  • Блохин А.М.1
  • Семисалов Б.В.2
стр. 979-
Платно
1 630090 Новосибирск, пр-т Акад. Коптюга, 4, ИМ СО РАН, 2 630090 Новосибирск, ул. Акад. Ржанова, 6, Конструкторско-технологический институт вычислительной техники СО РАН
Аннотация:
Предлагается и подробно описывается эффективный численный алгоритм для нахождения распределения электрического потенциала в транзисторе DG-MOSFET. В классе гидродинамических моделей, описывающих процесс переноса заряда в полупроводниках, содержится уравнение Пуассона для электрического потенциала. Вследствие нелинейности уравнений гидродинамических моделей, наличия в них малых параметров и специфических условий на границе области транзистора DG-MOSFET при поиске численных решений уравнения Пуассона возникают существенные сложности. Предлагается оригинальный алгоритм, основанный на методе установления и идеях схем без насыщения, позволяющий справиться с упомянутыми трудностями. Библ. 22. Фиг. 7. Табл. 3.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.